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温度变化时会引起BJT的哪些参数变化?如何变化
BJT是半导体制造的，而半导体在此有两个参数是与温度有关的：一个是禁带宽度（一般随着温度的升高而减小）；二是少数载流子浓度（随着温度的升高而指数式增大）。因此，BJT凡是与这两个参数有关的性能都将发生变化。
Ube是发射结导通时的正向电压，也就是克服发射结势垒中电场阻挡作用的电压；这个电压最大也只能是发射结的势垒高度。
当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的。
双击三极管，弹出对话框，在“参数”一栏中点击“编辑模型”，能看到参数，Bf表示正向放大倍数 如下图：最后还讲一下其他参数的意思：Is=xxf 反向饱和电流。
环境温度变化等。其中最主要的因素是温度的变化，因为晶体管是温度的敏感器件，当温度变化时，其参数UBE、β、ICBO都将发生变化，最终导致放大电路静态工作点产生偏移。此外，在诸因素中，最难控制的也是温度的变化。
复合晶体管的达林顿(Darlington)晶体管
达林顿晶体管是由两个n-p-n晶体管组合而成的一种复合晶体管（见图1）；其中第一个BJT（T1）是CC组态（射极跟随器），第二个BJT（T2）是CE组态。
达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。达灵顿晶体管（又称达灵顿对）是结合两个双极性晶体管的装置。如此，第二个晶体管可进一步放大第一个晶体管已放大的电流，可节省空间并得到很高的增益（β or hFE）。
达林顿管也称为复合管。 它串联连接两个晶体管以形成等效的新晶体管。 该等效三极管的放大倍数是原始两个三极管的乘积，因此具有高放大倍数的特征。
复合晶体管，指在IC中，常常把几个晶体管连接起来而构成具有一定功能的晶体管；在分析时一般是把它们当作一个整体来处理。常用的复合晶体管有达林顿（Darlington）晶体管、CC-CE复合管、复合p-n-p晶体管等。
达林顿管原理 达林顿管又称复合管。为共基组合放大器，以组成一只等效的新的三极管。这等效于三极管的放大倍数是二者之积。在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
模电题目,场效应管组成复合管问题,求大神解答,谢谢~
1、e）图中两只JFET（结型场效应管）左管的源极与右管的栅极相接连接，左管的漏极电流Id1没有通路因而不能工作。
2、不能。场效应管是电压放大型器件，能放大电压不能放大电流，复合后并无电压叠加关系，且两只场效应管均无法获得应有的所有电压，不能放大。所以不能组成复合管。
3、可以这样复合，因为场效应管是电压控制电流型器件，其输出电流不能直接输入下一个场效应管的输入；但三极管是电流控制电流型器件，则可以用场效应管的输出电流控制三极管输出电流，得到较高的放大系数。
4、先看前后两级的电流方向是否一致，一致则构成复合管，然后一个输入两个输出的为PNP型，两个输入一个输出的是NPN型。
5、判断方法，前一管子的发射极e或者集电极c接到下一级管子的基级b是正确的，有场效应管时场效应管只能作为复合管的第一级。
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